加工检测一体化硅电极及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010535417.3
IPC分类号：B23H3/04;B23H3/06;G01K7/22;G01R27/22
申请日期：
2020-06-12
申请人：
清华大学

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专利名称	加工检测一体化硅电极及其制备方法
申请号	CN202010535417.3	申请日期	2020-06-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-23	公开/公告号	CN111805024A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23H3/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23H 用电极代替刀具，以电流高度集中的作用在工件上的金属加工；这种加工与其他方式的金属加工的组合（电铸、涂层的电解或电泳生产工艺或其所用的设备入C25D；电解去除加工件材料的工艺入C25F；把沉淀技术用于导电材料形成所要求的电路来制造印刷线路入H05K 3/18）〔4〕 B23H3/00 电化加工，即在电解液中，在电极和工件之间通过电流除掉金属〔4〕 B23H3/04 其专门适用的电极或其制造（B23H 9/00优先）〔4〕	IPC分类号	B;2;3;H;3;/;0;4;;;B;2;3;H;3;/;0;6;;;G;0;1;K;7;/;2;2;;;G;0;1;R;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	李勇;刘国栋;钟昊;佟浩;谈齐峰
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	肖阳

摘要

本发明公开了一种加工检测一体化硅电极及其制备方法。所述硅电极包括重掺杂硅基体、绝缘层、隔离层、温度检测单元和电导率检测单元；重掺杂硅基体包括电极夹持部分和电极加工部分；所述电极夹持部分远离电极加工部分的一端的正面设置有电极供电导电端、温度信号引出端和电导率信号引出端；电极加工部分的正面表面设置有隔离层，并延伸至电极夹持部分的表面上；温度传感单元和电导率传感单元设置在电极加工部分靠近电极端面一端的表面隔离层上。该硅电极在进行电解加工的同时，还能检测间隙内电解液的电导率或者同时检测间隙内电解液的温度和电导率，用以反映加工间隙、电解产物排出情况等加工状态。

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