一种调控铁磁多层膜DM相互作用的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110254760.5
IPC分类号：C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/48
申请日期：
2021-03-09
申请人：
北京科技大学

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著录项信息

专利名称	一种调控铁磁多层膜DM相互作用的方法
申请号	CN202110254760.5	申请日期	2021-03-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113025954A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/02 待镀材料的预处理（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;4;8查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	冯春;赵永康;孟飞;祝荣贵;于广华
代理机构	北京市广友专利事务所有限责任公司	代理人	张仲波

摘要

一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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