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用于半导体集成电路器件的感测放大器结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201110413980.4
IPC分类号：G11C11/4091
申请日期：
2011-12-13
申请人：
海力士半导体有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于半导体集成电路器件的感测放大器结构
申请号	CN201110413980.4	申请日期	2011-12-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-04	公开/公告号	CN102543163A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/4091 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕 G11C11/407 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/409 读写〔R-W〕电路〔5〕 G11C11/4091 读出或读出/刷新放大器，或相关的读出电路，例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;9;1查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	千德秀
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郭放;许伟群

摘要

提供一种用于半导体集成电路器件的感测放大器结构。所述半导体集成电路器件包括第一信号线和第二信号线以及感测放大器，所述感测放大器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。感测放大器被配置为感测放大第一信号线与第二信号线之间的电势差。NMOS晶体管和PMOS晶体管的被施加相同信号并具有相同导电类型的结区被形成在一个集成有源区中。

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