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一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210110798.6
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2012-04-17
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
申请号CN201210110798.6申请日期2012-04-17
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709153A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人毛智彪;胡友存;徐强
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人王敏杰
摘要
本发明公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法,其中,包括以下步骤:提供一衬底;在衬底上沉积一层第一低介电常数介质层,包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域;采用沉积和含氧气体处理循环方式,在第一低介电常数介质层上沉积一层氧化硅层,包括金属-氧化物-金属区域的第一氧化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氧化硅层;刻蚀第二氧化硅层;在非金属-氧化物-金属区域的上方沉积一层第二低介电常数介质层;刻蚀第一氧化硅层,形成第一金属槽,刻蚀第二低介电常数介质层,形成第二金属槽;向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。本发明改善了电容器的各电特性并提高了电学均匀性。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供