MOSFET失配模型的建立及仿真方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810043941.8
IPC分类号：G06F17/50
申请日期：
2008-11-18
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	MOSFET失配模型的建立及仿真方法
申请号	CN200810043941.8	申请日期	2008-11-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-16	公开/公告号	CN101739472A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	王正楠;周天舒
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种MOSFET失配模型的建立及仿真方法，采用BSIM3模型为基础，分为以下步骤：第一步，利用统计原理建立模型参数随机误差统计表达式；第二步，根据模型参数随机误差统计表达式的物理定义，分别在BSIM3模型中选择具有针对性的模型参数，并对其添加统计表达式修正项；第三步，建立对应的SPICE宏模型；第四步，定义修正系数的初始值；第五步，将所述修正系数的初始值代入模型中，调试和仿真模型参数。本发明通过调整模型中失配误差函数修正式的系数，可以使模型精确地描述出实际工艺失配误差的趋势。通过调试参数，实际工艺监控趋势线与模型仿真趋势线可以做到非常接近，该建模方法可以方便且较好地模拟实际工艺的失配统计误差。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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