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用于等离子体处理中均匀性控制的锥形上电极

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910106940.1
  • IPC分类号:H01J37/04;H01J37/32
  • 申请日期:
    2019-02-02
  • 申请人:
    朗姆研究公司
著录项信息
专利名称用于等离子体处理中均匀性控制的锥形上电极
申请号CN201910106940.1申请日期2019-02-02
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-09-24公开/公告号CN110277293A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/04IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;0;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人朗姆研究公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗姆研究公司当前权利人朗姆研究公司
发明人陈志刚;阿列克谢·马拉霍塔诺夫;约翰·帕特里克·霍兰德;普拉提克·雅各布·曼凯地;安东尼·德拉·列拉;哈利·金姆;沈亨柱
代理机构上海胜康律师事务所代理人李献忠;张华
摘要
本发明涉及用于等离子体处理中均匀性控制的锥形上电极。一种用于衬底处理系统中的上电极包括下表面。所述下表面包括第一部分和第二部分,并且是面向等离子体的。所述第一部分包括具有第一厚度的第一表面区域。所述第二部分包括具有变化的厚度的第二表面区域,使得所述第二部分从第二厚度过渡到所述第一厚度。

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