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半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510378917.X
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/60
申请日期：
2010-06-17
申请人：
罗姆股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN201510378917.X	申请日期	2010-06-17
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-10-28	公开/公告号	CN105006462A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	罗姆股份有限公司	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗姆股份有限公司	当前权利人	罗姆股份有限公司
发明人	芳我基治;吉田真悟;糟谷泰正;永原斗一;木村明宽;藤井贤治
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	韩聪

摘要

本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括：层问绝缘膜，其形成在半导体基板上；最上层布线，其由铜构成且形成在所述层间绝缘膜上；钝化膜，其形成在所述最上层布线上，且具有使所述最上层布线的表面作为电极焊盘而选择性露出的焊盘开口；和焊线，其由铜构成，且直接接合于所述电极焊盘。

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