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一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611040542.7
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
  • 申请日期:
    2016-11-22
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法
申请号CN201611040542.7申请日期2016-11-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-05-31公开/公告号CN106783615A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人黄秋铭
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;陈慧弘
摘要
本发明提供一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法,其包括:提供制备好鳍形半导体基体的半导体衬底,所述鳍形半导体基体包含源区和漏区以及位于两者之间的鳍形沟道区;在半导体基体上覆盖一层氧化物层;化学机械磨平氧化物层至鳍形沟道区基体露出;从上部去除部分鳍形沟道区基体,形成鳍形沟道;对鳍形沟道进行掺杂外延生长;去除部分氧化物层至非掺杂鳍形沟道区基体露出部分;蚀刻露出部分的非掺杂鳍形沟道区基体,形成悬空于衬底上方的沟道结构;在沟道外围形成保护层。本发明利用鳍形沟道结构中掺杂层和非掺杂层的湿法蚀刻速度的差异,蚀刻非掺杂鳍形沟道区基体,形成悬空于衬底上方的沟道结构,这种全包围栅极结构有效的抑制了短沟道效应,漏场和穿通等问题,提高了器件性能。

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