加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

三维存储器阵列架构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380052469.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2013-08-30
  • 申请人:
    美光科技公司
著录项信息
专利名称三维存储器阵列架构
申请号CN201380052469.3申请日期2013-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-06-17公开/公告号CN104718625A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人美光科技公司申请人地址
美国爱达荷州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人美光科技公司当前权利人美光科技公司
发明人费代里科·皮奥
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人路勇
摘要
本发明提供三维存储器阵列架构及其形成方法。实例性存储器阵列可包含:堆叠,其包括位于许多层级处的多个第一导电线,所述多个第一导电线通过至少绝缘材料而彼此分离;及至少一个导电延伸部,其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线而延伸。围绕所述至少一个导电延伸部而形成存储元件材料。围绕所述至少一个导电延伸部而形成单元选择材料。所述至少一个导电延伸部、所述存储元件材料及所述单元选择材料位于所述多个第一导电线的共面对之间。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供