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一种高效晶体硅太阳电池背面钝化的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210457016.6
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-11-14
  • 申请人:
    东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高效晶体硅太阳电池背面钝化的方法
申请号CN201210457016.6申请日期2012-11-14
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-02-13公开/公告号CN102931283A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东方环晟光伏(江苏)有限公司,环晟光伏(江苏)有限公司当前权利人东方环晟光伏(江苏)有限公司,环晟光伏(江苏)有限公司
发明人卢春晖;侯泽荣;吴俊清;王金伟;崔梅兰
代理机构南京天华专利代理有限责任公司代理人夏平
摘要
本发明公开一种高效晶体硅太阳电池背面钝化的方法,其特征在于它包括以下步骤:(1)将已刻蚀的硅片反插入PECVD石墨舟,送入PECVD炉管;(2)对炉管抽真空;(3)对炉管进行预处理;(4)压力测试;(5)沉积第一层氮氧化硅膜,温度为460℃,氨气流量为2.5~3.8slm,硅烷流量为1100~1800sccm,一氧化二氮流量为500~800sccm,射频功率6000瓦,持续时间2~5min;(6)氮气5slm吹扫30s,抽真空至80mTorr,沉积第二层氮化硅膜,温度为465℃,氨气流量为5~8slm,硅烷流量为700~950sccm,射频功率6000瓦,持续时间3min;(7)氮气吹扫冷却。本发明背面钝化设备可以使用产线任意镀减反射膜设备完成,不增加额外设备成本,背面镀上光滑介质膜后增加光在内部的反射,减少光的流失,提升电池短路电流。

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