一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410305474.7
IPC分类号：H01M4/48;B82B3/00
申请日期：
2014-06-30
申请人：
陕西师范大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法
申请号	CN201410305474.7	申请日期	2014-06-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-22	公开/公告号	CN104112854A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/48 无机氧化物或氢氧化物的〔2，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;4;8;;;B;8;2;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人	陕西师范大学	申请人地址	陕西省西安市长安南路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西师范大学	当前权利人	陕西师范大学
发明人	杨合情;田化景;申琼;王金磊;程丽娟
代理机构	西安永生专利代理有限责任公司	代理人	高雪霞

摘要

本发明公开了一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法，采用简单的溶液快速热反应法，制备成分散在毫米级片状非晶碳上SnO2纳米晶复合材料，SnO2纳米晶的尺寸为4～5nm，复合材料的比表面积可达90～120m2/g。本发明操作过程简单，不需要特殊的气氛保护，成本低，易于工业化生产，且所制备的SnO2纳米晶/C片状复合材料重复性和一致性好，可望在光催化、吸附、气敏传感、锂离子电池和太阳能电池等应用中体现出增强的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供