一种电平转换电路及芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN202111045893.8
IPC分类号：H03K19/0185;H03K19/017;H03K19/00
申请日期：
2021-09-07
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种电平转换电路及芯片
申请号	CN202111045893.8	申请日期	2021-09-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113726330A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/0185 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/0175 耦合装置；接口装置（用于数字计算机的接口装置入G06F 3/00，G06F 13/00）〔5〕 H03K19/0185 仅使用场效应晶体管的〔5〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;1;8;5;;;H;0;3;K;1;9;/;0;1;7;;;H;0;3;K;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	严慧婕;温建新;蒋宇;沈灵;曾夕
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	田婷

摘要

本发明提供了一种电平转化电路及芯片，电平转化电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和反相器；第一PMOS管的源极连接I/O电源，漏极连接第一输出节点，栅极连接第二输出节点；第一NMOS管的漏极连接第一输出节点，源极接地，栅极连接输入信号；第二PMOS管的源极连接I/O电源，漏极连接第二输出节点，栅极连接第一输出节点；第二NMOS管的漏极连接第二输出节点，源极接地，栅极连接反相器的输出端，反相器的输入端连接所述输入信号。电平转化电路适用于宽VDDIO范围的输出要求，并且输出速度快、功耗小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供