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5英寸功率MOS管用硅外延片的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610039599.5
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/336
  • 申请日期:
    2006-04-17
  • 申请人:
    南京国盛电子有限公司
著录项信息
专利名称5英寸功率MOS管用硅外延片的制造方法
申请号CN200610039599.5申请日期2006-04-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-10-11公开/公告号CN1845303
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人南京国盛电子有限公司申请人地址
江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京国盛电子有限公司当前权利人南京国盛电子有限公司
发明人高涛;马林宝;金龙
代理机构南京知识律师事务所代理人张苏沛
摘要
本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法,其技术工艺在于:选择合适的气体腐蚀流量和气体腐蚀时间,减小气体腐蚀杂质在外延反应器的浓度,以减小外延生长时的自掺杂。第一层外延生长:在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层,对衬底片表面和边缘进行包封,控制其生长温度、生长速率和外延时间,以使包封层达到理想效果,同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率;选择合适的外延条件,使外延片的形变最小。第二层外延生长:生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层。

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