发光器件及其制造方法和发光器件封装

发明专利有效专利

申请号：
CN201210148953.3
IPC分类号：H01L33/06
申请日期：
2012-05-14
申请人：
LG伊诺特有限公司

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专利名称	发光器件及其制造方法和发光器件封装
申请号	CN201210148953.3	申请日期	2012-05-14
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-16	公开/公告号	CN102881787A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人	LG伊诺特有限公司	申请人地址	江苏省苏州市太仓市常胜北路168号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG伊诺特有限公司,苏州乐琻半导体有限公司	当前权利人	LG伊诺特有限公司,苏州乐琻半导体有限公司
发明人	元钟学
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	张浴月;郑小军

摘要

提供一种发光器件及其制造方法和发光器件封装。发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于第一导电类型半导体层上；有源层，位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间，有源层包括多个阱层和多个势垒层。多个势垒层包括：第一势垒层，距离第二导电类型半导体层最近，第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近第一势垒层；至少一个第三势垒层，位于第二势垒层与第一导电类型半导体层之间。多个阱层包括：第一阱层，位于第一势垒层与第二势垒层之间，第一阱层具有第三带隙；及第二阱层，位于第二势垒层与至少一个第三势垒层之间，第二阱层具有第二带隙。第一阱层的厚度比第二阱层薄，且第三带隙不同于第一带隙。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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