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IGBT芯片与相变均热板的集成封装结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711119311.X
  • IPC分类号:H01L23/473;H01L23/427;H01L23/367;H01L21/48
  • 申请日期:
    2017-11-14
  • 申请人:
    华南理工大学;广东新创意科技有限公司
著录项信息
专利名称IGBT芯片与相变均热板的集成封装结构及其制造方法
申请号CN201711119311.X申请日期2017-11-14
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2018-05-11公开/公告号CN108022894A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/473IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人华南理工大学;广东新创意科技有限公司申请人地址
广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学,广东新创意科技有限公司当前权利人华南理工大学,广东新创意科技有限公司
发明人黄光文;李勇;周文杰;何柏林;陈韩荫;陈创新
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人李瑶
摘要
本发明涉及IGBT芯片与相变均热板的集成封装结构,包括依次固接在一起的端盖、上壳板、底板和IGBT芯片,IGBT芯片焊接于底板的底面,上壳板靠近端盖的一侧设有若干个柱状翅片,端盖和上壳板围成用于热交换的换热空间,若干个柱状翅片位于换热空间内,换热空间设有至少一个冷却液进出口,上壳板靠近底板的一侧设有若干个支撑柱,上壳板和底板围成一个密闭的均热板空腔,若干个支撑柱位于该密闭的均热板空腔内,均热板空腔内填充有工质,且为真空状态。相比在IGBT芯片及底板之间设置导热薄膜或涂导热膏,将IGBT芯片焊接到均热板的底板上,可有效降低接触热阻。将高温工序置于均热板注液抽真空并密封的工序之前,避免均热板受热膨胀损坏。

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