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具有扁平电极和与其直接接触的突起电极的半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02108123.9
  • IPC分类号:H01L25/065;H01L25/04
  • 申请日期:
    2002-03-27
  • 申请人:
    日本电气株式会社
著录项信息
专利名称具有扁平电极和与其直接接触的突起电极的半导体器件
申请号CN02108123.9申请日期2002-03-27
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2002-11-06公开/公告号CN1378284
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/065IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;4查看分类表>
申请人日本电气株式会社申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德塞拉先进技术公司当前权利人德塞拉先进技术公司
发明人池上五郎;长井伸彰
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人穆德骏;方挺
摘要
一种半导体器件,具有第一半导体片状器件和第二半导体片状器件。其上形成具有平坦表面的扁平电极的第一半导体片状器件的电极形成表面和其上形成突起电极的第二半导体片状器件的电极形成表面相向设置。而且,扁平电极和突起电极互相电连接。形成扁平电极的导电材料的主要成分与形成突起电极的导电材料的主要成分相同。此外,突起电极的硬度高于扁平电极的硬度。因此,突起电极和扁平电极可以以高可靠性互相电连接。

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