TiAlN-TiBN多层厚膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910099424.7
IPC分类号：B32B9/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/54
申请日期：
2009-06-15
申请人：
中国兵器工业第五二研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	TiAlN-TiBN多层厚膜的制备方法
申请号	CN200910099424.7	申请日期	2009-06-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-16	公开/公告号	CN101602272
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B32B9/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B32 层状产品 B32B 层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品 B32B9/00 实质上由不包含在组B32B 11/00至B32B 29/00的特殊物质组成的层状产品	IPC分类号	B;3;2;B;9;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;3;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人	中国兵器工业第五二研究所	申请人地址	浙江省宁波市科技园区凌云路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国兵器工业第五二研究所	当前权利人	中国兵器工业第五二研究所
发明人	刘智勇;杨润田;刘若涛
代理机构	宁波诚源专利事务所有限公司	代理人	袁忠卫;景丰强

摘要

一种TiAlN-TiBN多层厚膜，其特征在于该多层厚膜由磁控溅射的TiAlN层和电弧离子镀的TiBN层交替沉积而成，并且，前述的TiBN层厚度为0.1μm～0.3μm，前述的TiAlN层厚度为2.1μm～4.3μm。本发明还公开该多层厚膜的制备方法。与现有技术相比，本发明的优点在于：TiAlN层与TiBN层交替分布实现了TiAlN薄膜成分多元化和结构多层化，改善其应力分布，所得产品致密均匀、显微硬度大，提高结合强度，大幅度增加厚度，满足软基体或不能热处理产品的表面强化需求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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