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一种废旧HDDR粘结钕铁硼永磁体的回收再利用方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610346468.5
  • IPC分类号:B22F1/00;B22F3/02;B22F3/04;H01F1/057
  • 申请日期:
    2016-05-23
  • 申请人:
    北京工业大学
著录项信息
专利名称一种废旧HDDR粘结钕铁硼永磁体的回收再利用方法
申请号CN201610346468.5申请日期2016-05-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106001541A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F1/00IPC分类号B;2;2;F;1;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;0;2;;;B;2;2;F;3;/;0;4;;;H;0;1;F;1;/;0;5;7查看分类表>
申请人北京工业大学申请人地址
北京市朝阳区平乐园100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京工业大学当前权利人北京工业大学
发明人孙硕;刘卫强;尹玉霞;岳明;刘敏
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司代理人张慧
摘要
一种废旧HDDR粘结钕铁硼永磁体的回收再利用方法,属于材料制备方法技术领域。所要解决的技术问题为提供一种工艺流程短、低成本且可以产业化的回收废旧HDDR粘结钕铁硼永磁体及其再利用方法;采用的技术方案利用相似相溶原理,将废旧HDDR粘结钕铁硼永磁体在混合溶剂中溶胀一段时间后,使用水浴搅拌、超声波清洗的方法,剥离掉HDDR磁粉表面溶胀的环氧树脂,达到磁粉回收的目的,并将回收的磁粉与市售的磁粉按一定比例混掺使用,制备HDDR粘结钕铁硼磁体。本发明不但可以有效去除磁粉表面的环氧树脂粘结剂,而且可以做到不破坏磁粉本身的性能,使得回收磁粉及制备的磁体最大程度的保持了原始磁粉及磁体的性能。

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