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提高金属氧化物半导体材料光催化性能的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910053869.1
IPC分类号：B01J37/34;B01J37/00;B01J37/08;B01J23/652;B01J23/68;B01J23/66;B01J23/46;B01J21/06;B01J23/62;B01J23/89;C02F1/30;C02F1/32;A62D3/10;A62D3/176;C02F101/38;C02F103/30;A62D101/28
申请日期：
2009-06-26
申请人：
上海大学

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	提高金属氧化物半导体材料光催化性能的方法
申请号	CN200910053869.1	申请日期	2009-06-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-25	公开/公告号	CN101585006
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B01J37/34 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01J 化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备〔2〕 B01J37/00 制备催化剂之一般方法；催化剂活化的一般方法〔4〕 B01J37/34 利用辐射，或利用电能、磁能或波能，例如超声波〔2〕	IPC分类号	B;0;1;J;3;7;/;3;4;;;B;0;1;J;3;7;/;0;0;;;B;0;1;J;3;7;/;0;8;;;B;0;1;J;2;3;/;6;5;2;;;B;0;1;J;2;3;/;6;8;;;B;0;1;J;2;3;/;6;6;;;B;0;1;J;2;3;/;4;6;;;B;0;1;J;2;1;/;0;6;;;B;0;1;J;2;3;/;6;2;;;B;0;1;J;2;3;/;8;9;;;C;0;2;F;1;/;3;0;;;C;0;2;F;1;/;3;2;;;A;6;2;D;3;/;1;0;;;A;6;2;D;3;/;1;7;6;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;8;;;C;0;2;F;1;0;3;/;3;0;;;A;6;2;D;1;0;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海大学	申请人地址	上海市宝山区上大路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海大学	当前权利人	上海大学
发明人	向群;孟桂芳;张源;李辉;徐甲强
代理机构	上海上大专利事务所（普通合伙）	代理人	顾勇华

摘要

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