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存储器器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03154653.6
IPC分类号：G11C13/04;H01L21/8239
申请日期：
2003-08-22
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储器器件及其制造方法
申请号	CN03154653.6	申请日期	2003-08-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-23	公开/公告号	CN1506972
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器 G11C13/04 使用光学元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	T·A·劳里
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

存储器和存取器件及其方法。根据本发明的实施例，简要提供了存储器和制造该存储器的方法。存储器可以包括衬底上的相变材料。存储器还可以包括耦连至相变材料的开关材料，其中开关材料包括除了氧的硫属元素，且其中开关材料和相变材料形成衬底上的垂直结构部分。

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