存储器件及其编程操作

发明专利有效专利

申请号：
CN202180000854.8
IPC分类号：G11C16/12;G11C16/14;G11C16/24
申请日期：
2021-03-22
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	存储器件及其编程操作
申请号	CN202180000854.8	申请日期	2021-03-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113196402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/12 编程电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;2;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	黄开谨;闾锦;刘刚
代理机构	北京永新同创知识产权代理有限公司	代理人	林锦辉;刘景峰

摘要

在某些方面，一种存储器件包括第一存储串，该第一存储串包括第一漏极、第一漏极选择栅(DSG)晶体管、第一存储单元、以及在第一漏极和第一DSG晶体管之间的第一漏极虚设晶体管。存储器件还包括耦合到第一漏极的第一位线、耦合到第一漏极虚设晶体管的第一漏极虚设线、耦合到第一DSG晶体管的第一DSG线、分别耦合到第一存储单元的多个字线、以及外围电路，该外围电路被配置为对耦合到所述字线中的选定字线的第一存储单元中的目标存储单元执行编程操作。为了执行编程操作，外围电路包括：位线驱动器，其耦合到第一位线并且被配置为施加第一位线电压以选择第一位线；以及字线驱动器，其耦合到第一漏极虚设线和第一DSG线，并且被配置为向第一DSG线施加DSG电压以接通第一DSG晶体管，并且向第一漏极虚设线施加漏极虚设线电压以接通第一漏极虚设晶体管。漏极虚设线电压大于DSG电压。

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