三级存储单元NAND闪存中的回流耐久性改进

发明专利有效专利

申请号：
CN202080013266.3
IPC分类号：G06F3/06G06F12/02G11C11/56
申请日期：
2020-02-20
申请人：
美光科技公司

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著录项信息

专利名称	三级存储单元NAND闪存中的回流耐久性改进
申请号	CN202080013266.3	申请日期	2020-02-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113412465A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/06 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出	IPC分类号	G06F3/06;G06F12/02;G11C11/56查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	佐藤淳一
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。在一个实施例中，公开了一种方法，其包含：通过压缩原始数据来生成经压缩数据以存储在存储器装置中；用所述经压缩数据对所述存储器装置的第一区域进行预编程；以及响应于检测到所述存储器装置已通电，解压缩所述经压缩数据，获得所述原始数据，以及将所述原始数据传送到所述存储器装置的第二区域。