一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310271252.3
IPC分类号：H01L31/073;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18
申请日期：
2013-06-29
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310271252.3	申请日期	2013-06-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-09	公开/公告号	CN103346193A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/073 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/072 只是PN异质结型势垒的〔5，2012.01〕 H01L31/073 只包括AIIBVI化合物的半导体，例如CdS/CdTe太阳能电池〔2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	覃东欢;张云鹏;张毅杰;刘凯怡;王嘉霖;许伟
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	裘晖

摘要

本发明属于光电器件领域，公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池，由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO2薄膜；光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成；阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种；窗口层为CdS薄膜；阳极为Ag或者Al；光活性层和阳极之间有一层MoO3氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术，实现太阳电池的超薄化，且性能优异，能量转换效率高达3.73%。

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