放射线检测器

发明专利无效专利

申请号：
CN200580015270.9
IPC分类号：H01L31/115;G01T1/24;H01L27/14;H04N5/32
申请日期：
2005-05-12
申请人：
株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	放射线检测器
申请号	CN200580015270.9	申请日期	2005-05-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-25	公开/公告号	CN1954442
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/115 对很短波长，如X射线、γ射线或微粒子辐射敏感的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;1;5;;;G;0;1;T;1;/;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;4;N;5;/;3;2查看分类表>
申请人	株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝,东芝电子管器件株式会社	当前权利人	株式会社东芝,东芝电子管器件株式会社
发明人	御子柴佳子;会田博之;川崎泰明;鬼桥浩志;本间克久
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	沈昭坤

摘要

本发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素，则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离，将在该光导电层中产生缺陷能级，成为电荷的深阱，对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多，则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性，大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性，余像将延长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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