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稳恒磁场下粉末烧结法制备高硅硅钢片的方法及其装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210150602.6
  • IPC分类号:B22F3/16;H01F1/047;H01F1/08
  • 申请日期:
    2012-05-16
  • 申请人:
    上海大学
著录项信息
专利名称稳恒磁场下粉末烧结法制备高硅硅钢片的方法及其装置
申请号CN201210150602.6申请日期2012-05-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-09-12公开/公告号CN102658367A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F3/16IPC分类号B;2;2;F;3;/;1;6;;;H;0;1;F;1;/;0;4;7;;;H;0;1;F;1;/;0;8查看分类表>
申请人上海大学申请人地址
上海市宝山区上大路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海大学当前权利人上海大学
发明人钟云波;汤聂韦;饶显君;任维丽;雷作胜
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)代理人顾勇华
摘要
本发明涉及一种稳恒磁场下粉末烧结法制备硅钢片的方法及其装置。具体过程由混合Fe-Si粉末、轧制成板坯、以及稳恒磁场下烧结Fe-6.5wt%Si压坯三个步骤组成,利用磁场对Fe-6.5wt%Si粉末压坯的烧结致密化和取向过程的影响,获得致密度高的6.5wt%Si高硅钢,并使其易磁化轴沿磁场方向取向。稳恒磁场下气氛/真空烧结装置由控温装置、排气管、热电偶、加热元件、刚玉坩埚、耐火纤维、支撑块、隔热挡块、水冷套管、稳恒磁场发生装置、密封刚玉管、惰性气体进气阀门、真空抽气阀门、Fe-6.5wt%Si压坯、薄刚玉板隔层、固定钼丝组成。本发明方法制得的6.5%Si硅钢片具有可近终成型、磁性能优异、取向度高等优点,具有显著的工业应用前景。

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