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一种晶圆键合对准结构及其对准方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910627589.0
IPC分类号：H01L23/544;H01L21/68;H01L21/60
申请日期：
2019-07-12
申请人：
南通沃特光电科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶圆键合对准结构及其对准方法
申请号	CN201910627589.0	申请日期	2019-07-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-12	公开/公告号	CN110444530A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	南通沃特光电科技有限公司	申请人地址	江苏省南通市高新区世纪大道266号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通沃特光电科技有限公司	当前权利人	南通沃特光电科技有限公司
发明人	戴世元
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种晶圆键合对准结构及其对准方法，本发明利用多个第一金属环与多个第二金属环形成于非有源区位置，并利用多个探针测试其电阻值，每两相邻的探针之间的电阻完全相同时，所述第一晶圆和第二晶圆完全对准，然后进行键合，实现键合的精确性。

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