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半导体结构、CMOS图像传感器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711175153.X
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2017-11-22
  • 申请人:
    德淮半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构、CMOS图像传感器及其制备方法
申请号CN201711175153.X申请日期2017-11-22
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-04-20公开/公告号CN107946332A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人德淮半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德淮半导体有限公司当前权利人德淮半导体有限公司
发明人彭琬婷;林宗德;黄仁德
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人余明伟
摘要
本发明提供一种半导体结构、CMOS图像传感器及其制备方法,包括如下步骤:1)提供半导体衬底,半导体衬底的上表面依次形成第一介质层及第二介质层;2)于第一介质层及第二介质层内形成沟槽;3)于沟槽的底部、侧壁及第二介质层的上表面形成第一金属阻挡层;4)于第一金属阻挡层的表面形成导电金属层;5)采用回刻工艺去除部分导电金属层以形成导电插塞;6)于第一金属阻挡层的表面及导电插塞的上表面形成第二金属阻挡层;7)于第二金属阻挡层的表面形成金属连线层;8)去除位于第二介质层上表面的第一金属阻挡层、第二金属阻挡层及所述金属连线层。本发明可以大大节约生产成本;相较于现有技术工艺步骤更少,工艺更简单。

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