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高性能3DNAND的动态单层扫描

发明专利有效专利

申请号：
CN202010227248.7
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/34;G11C16/08
申请日期：
2020-03-27
申请人：
桑迪士克科技有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高性能3DNAND的动态单层扫描
申请号	CN202010227248.7	申请日期	2020-03-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-04	公开/公告号	CN112037840A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8查看分类表>
申请人	桑迪士克科技有限责任公司	申请人地址	美国得克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桑迪士克科技有限责任公司	当前权利人	桑迪士克科技有限责任公司
发明人	X.杨;D.杜塔;曾怀远
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	邱军

摘要

本发明提供了一种用于在存储器阵列上执行动态单层扫描的方法和系统。存储器阵列包括被组织成多个子组的多个存储器单元。动态单层扫描包括执行编程循环，其中对第一子组的单元进行计数以确定是否满足数字阈值，并且如果相对于第一子组满足数字阈值，则执行至少一个附加编程循环，其中对第二子组的单元进行计数，以确定相对于第二子组是否满足数字阈值。

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