一种硅片顶升机构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021861931.8
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/673
申请日期：
2020-08-31
申请人：
无锡小强半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种硅片顶升机构
申请号	CN202021861931.8	申请日期	2020-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;3查看分类表>
申请人	无锡小强半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡小强半导体科技有限公司	当前权利人	无锡小强半导体科技有限公司
发明人	沈晓琪;姚正辉
代理机构	杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	董世博

摘要

本实用新型公开了一种硅片顶升机构,包括承托组件、顶齿安装块和若干顶齿组件，所述顶齿安装块安装于承托组件上侧，所述顶齿组件平行设置，所述顶齿组件包括平行设置的顶齿和梳齿，所述顶齿安装块上固设有若干插槽，所述插槽内至少安装一组顶齿和一组梳齿，所述顶齿和梳齿之间设置有用于放置硅片的间隙，所述顶齿和梳齿顶部固设有用于放置硅片的缺口,本实用新型采用螺钉对顶齿组件进行锁紧，不仅可以精准定位顶齿和梳齿的位置，且相邻顶齿和梳齿位置之间不受影响，当其中一个顶齿损坏时，将螺钉旋松，进而打开锁紧装置，将顶齿或梳齿从插槽中抽出进行更换，提高了更换的效率和质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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