免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910110219.X
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/48
申请日期：
2019-02-11
申请人：
西南大学

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专利名称	免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制备方法
申请号	CN201910110219.X	申请日期	2019-02-11
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-05-28	公开/公告号	CN109817811A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	西南大学	申请人地址	重庆市北碚区天生路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西南大学	当前权利人	西南大学
发明人	宋群梁;王刚
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制备方法，包括采用2‑甲氧基乙醇作为溶剂，配置钙钛矿前驱体溶液，制备钙钛矿吸光层，制成的器件结构为p‑i‑n型或n‑i‑p型。本发明通过简单的一次直接成膜工艺，就可以获得具有钙钛矿结构的吸光层，不需要进行任何的二次处理。该方法成功简化了钙钛矿太阳能电池等光伏器件的制备工艺，减少了制备钙钛矿薄膜层时热退火和反溶剂两个工艺程序，大大降低的制备成本和缩短制备时间，对钙钛矿的商业化生产具有重大意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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