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具有氮化硅缓冲层的显示设备及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110263145.0
IPC分类号：H01L27/32
申请日期：
2021-03-11
申请人：
三星显示有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有氮化硅缓冲层的显示设备及其制造方法
申请号	CN202110263145.0	申请日期	2021-03-11
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-14	公开/公告号	CN113394256A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/28 包括使用有机材料作为有源部分，或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件〔8〕 H01L27/32 具有专门适用于光发射的组件，例如使用有机发光二极管的平板显示器〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	三星显示有限公司	申请人地址	韩国京畿道龙仁市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星显示有限公司	当前权利人	三星显示有限公司
发明人	郑镕彬;禹荣杰;郭银珍
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	田野;韩芳

摘要

公开了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。该显示设备包括基底。第一缓冲层设置在基底之上。第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比。薄膜晶体管设置在第一缓冲层之上。薄膜晶体管包括有源层。显示元件电连接到薄膜晶体管。

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