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发光二极管的散热结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200620008190.2
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L23/367
  • 申请日期:
    2006-03-17
  • 申请人:
    戴芸;戴瑞丰
著录项信息
专利名称发光二极管的散热结构
申请号CN200620008190.2申请日期2006-03-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人戴芸;戴瑞丰申请人地址
中国台湾 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人戴芸,戴瑞丰当前权利人戴芸,戴瑞丰
发明人戴芸;戴瑞丰
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型是有关一种发光二极管的散热结构,其主要是在散热基座其中一面形成有一双层式凹状槽,在散热基座的表面处理有一绝缘膜层,在前述凹状槽内底部固设一发光二极管,在散热基座的两侧设有两导电金属片,并分别以一导线与发光二极管的二极相连接,同时在凹状槽内填充高透光性树脂,在散热基座的凹状槽上方,组设有一光学透镜,进而通过具绝缘膜层的散热基座,而可不需另设其它PC板或绝缘物,直接在散热基座上设发光二极管及导电金属片,而可使发光二极管的热源直接由散热基座进行热交换,进而大幅提高发光二极管的散热效率,并具减化构件以提高生产效率者。

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