避免降低发光效率的发光芯片封装结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810093032.5
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/075
申请日期：
2008-04-15
申请人：
宏齐科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	避免降低发光效率的发光芯片封装结构及其制作方法
申请号	CN200810093032.5	申请日期	2008-04-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-21	公开/公告号	CN101562139
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	宏齐科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宏齐科技股份有限公司	当前权利人	宏齐科技股份有限公司
发明人	汪秉龙;巫世裕;吴文逵
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	陈晨;吴世华

摘要

一种避免降低发光效率的发光芯片封装结构及其制作方法，上述发光芯片封装结构包括：基板单元、发光单元、透明胶体单元、及荧光胶体单元。该发光单元具有多个分别电性设置于该基板单元上的发光二极管芯片。该透明胶体单元具有多个分别覆盖在上述多个发光二极管芯片上的透明胶体。该荧光胶体单元具有多个分别覆盖在多个状透明胶体上的荧光胶体。框架单元包覆上述多个透明胶体的四周及上述多个荧光胶体的四周，而只暴露出上述多个荧光胶体的上表面。本发明能够形成连续的发光区域，避免亮度不均，并有效地缩短加工时间从而提高产量，且避免因发光二极管所产生的高温而降低荧光粉发光效率，另外本发明更适用于各种光源。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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