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氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310646457.5
  • IPC分类号:H01L51/30;H01L51/40
  • 申请日期:
    2013-12-06
  • 申请人:
    南昌大学
著录项信息
专利名称氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法
申请号CN201310646457.5申请日期2013-12-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-03-26公开/公告号CN103682100A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/30IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人南昌大学申请人地址
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南昌大学当前权利人南昌大学
发明人肖丽;程抱昌
代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司代理人施秀瑾
摘要
一种氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法,在n型半导体材料纳米棒状氧化锌、p型半导体材料三角片状硫氰酸亚铜中间加入聚甲基丙烯酸甲酯。将制备好的纳米棒状氧化锌和三角片状硫氰酸亚铜材料表面分别旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯,相叠,将聚甲基丙烯酸甲酯镶嵌在氧化锌和硫氰酸亚铜中间,待聚甲基丙烯酸甲酯固化。本发明在氧化锌和硫氰酸亚铜两种类型的半导体材料之间加入聚甲基丙烯酸甲酯,使得聚甲基丙烯酸甲酯成为两者之间的连接体,测试性能显示,这种M-O-M结构具有良好的电阻开关效应,可作为存储器使用,且器件的制作工艺简单,具有很好的应用前景。

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