一种窄线宽波长锁定的半导体激光器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200920137815.9
IPC分类号：H01S5/00;H01S5/06;H01S5/065
申请日期：
2009-04-20
申请人：
福州高意通讯有限公司

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著录项信息

专利名称	一种窄线宽波长锁定的半导体激光器
申请号	CN200920137815.9	申请日期	2009-04-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;6;;;H;0;1;S;5;/;0;6;5查看分类表>
申请人	福州高意通讯有限公司	申请人地址	福建省福州市晋安区福兴大道39号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	福州高意通讯有限公司	当前权利人	福州高意通讯有限公司
发明人	马英俊;薛有为;柏天国;吴砺
代理机构	厦门市诚得知识产权代理事务所	代理人	方惠春;黄国强

摘要

本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及半导体激光器领域，是一种窄线宽波长锁定的半导体激光器。本实用新型的窄线宽波长锁定的半导体激光器，包括依次排列的半导体激光器、准直透镜组、标准具组和部分反射镜，所述的半导体激光器的一端面与所述的部分反射镜构成反馈外腔，所述的标准具组为波长锁定的选模元件。本实用新型采用如上技术方案，是一种外腔结构的方式来实现压窄线宽和实现锁波长的激光器，具有输出功率高且温漂小的优点。

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