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一种LDMOS晶体管及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110921916.0
  • IPC分类号:H01L21/336H01L29/78
  • 申请日期:
    2021-08-12
  • 申请人:
    晶芯成(北京)科技有限公司
著录项信息
专利名称一种LDMOS晶体管及其形成方法
申请号CN202110921916.0申请日期2021-08-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-09-10公开/公告号CN113380627A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H01L21/336;H01L29/78查看分类表>
申请人晶芯成(北京)科技有限公司申请人地址
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶芯成(北京)科技有限公司当前权利人晶芯成(北京)科技有限公司
发明人王行之;李庆民;陈信全;杨宗凯;许春龙
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人田婷
摘要
本发明提供一种LDMOS晶体管及其形成方法中,LDMOS晶体管的形成方法包括:提供一衬底,衬底内形成体区和漂移区;在体区和漂移区的交界处的衬底上形成栅极结构,栅极结构包括栅极层、第一侧墙和第二侧墙;刻蚀去除第二侧墙,并暴露出栅极层一个侧壁;氧化处理栅极层以形成第一氧化层;形成源区和漏区,漏区与栅极层在漂移区的正投影之间相邻设置,通过将漏区与所述栅极结构在衬底上的正投影相邻接设置,可以减小器件的尺寸以及减小电流通路,降低LDMOS晶体管的导通电阻,通过在栅极层靠近漏区的侧壁上形成第一氧化层,以提升击穿电压,从而实现击穿电压和导通电阻之间的平衡,减小LDMOS晶体管的损耗,提高LDMOS晶体管的输出功率以及综合性能。

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