无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态

发明专利有效专利

申请号：
CN201810897079.0
IPC分类号：C23C16/513;C23C16/44;C23C16/24
申请日期：
2018-08-08
申请人：
昆山迅立光电设备有限公司

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专利名称	无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态
申请号	CN201810897079.0	申请日期	2018-08-08
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-21	公开/公告号	CN110819970A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/513 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕 C23C16/513 采用等离子流〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;1;3;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	昆山迅立光电设备有限公司	申请人地址	江苏省苏州市昆山市高新区元丰路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆山迅立光电设备有限公司	当前权利人	昆山迅立光电设备有限公司
发明人	周文彬
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开提供无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，直线式相对的设置，中间用一自动交换区将相对设置的系统隔离呈两的部份；该异质结太阳能电池等离子增强化学气相沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第一反应室、第二反应室、第二承载室、第三反应室、第四反应室及卸载区，呈直线且相对组态设置，此设置可形成一个整体组态完成异质结太阳能电池硅衬底正面及反面的薄膜沉积，此种设置对于未来产能扩充具有极大的弹性，只要将自动交换区加长，即可在设置相同的一个完整的组态。在上述无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态整体设制成直线型，自动交换区内设置正压式惰性气体循环系统，无需再另行设置洁净度高的区域来防止环境的污染，有效降低生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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