基于MOS器件的宽带低功耗斩波稳定轨到轨放大器

发明专利有效专利

申请号：
CN201110061217.X
IPC分类号：H03F3/45
申请日期：
2011-03-15
申请人：
清华大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于MOS器件的宽带低功耗斩波稳定轨到轨放大器
申请号	CN201110061217.X	申请日期	2011-03-15
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-09-07	公开/公告号	CN102176661A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F3/45 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F3/20 至H03F 3/72各组优先于H03F 3/02至H03F 3/189各组。〔2〕 H03F3/45 差动放大器〔2〕	IPC分类号	H;0;3;F;3;/;4;5查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	方华军;赵晓;王敬;梁仁荣;许军
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	史双元

摘要

本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种基于MOS器件的宽带低功耗斩波稳定轨到轨放大器。包括升频混频器和降频混频器，实现对输入信号的升频和降频功能、由四个NMOS管和四个PMOS管组成的轨到轨输入级，将输入电压信号转换成电流信号，并形成反向回收电流、由四个低压电流镜组成的放大回收电流的中间级，实现对回收电流的放大作用和由两个PMOS管和两个NMOS管组成的轨到轨输出级，实现信号的轨到轨输出；本发明具有在不增加功耗的情况下提高两倍以上带宽的能力；降低低频1/f噪声；增加低频增益；同时还可以在保持同样的带宽、噪声等性能下降低一半功耗及进一步提高该电路的性能等诸多优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供