一种高灵敏度室温二氧化氮气敏材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410393815.0
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2014-08-12
申请人：
天津大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种高灵敏度室温二氧化氮气敏材料的制备方法
申请号	CN201410393815.0	申请日期	2014-08-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-24	公开/公告号	CN104237314A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	胡明;闫文君;王登峰;魏玉龙;马文锋
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种高灵敏度室温二氧化氮气敏材料的制备方法：先将p型单面抛光的单晶硅基片清洗干净，采用双槽电化学腐蚀法在单晶硅基片抛光表面制备多孔硅层，再在多孔硅表面溅射形成金属钨薄膜；采用两步生长法，先将具有金属钨薄膜的多孔硅基片于600～700℃热处理温，金属钨薄膜生长为钨纳米线，再于300～500℃二次热处理，制得高灵敏度室温二氧化氮气敏材料。本发明工艺方法简单，重复性好，参数易于控制，制品在室温下对低浓度的二氧化氮气体具有较高的灵敏度和响应/恢复特性以及良好的稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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