半导体薄膜器件及其制造方法和图像显示装置

发明专利无效专利

申请号：
CN02140592.1
IPC分类号：H01L21/20;H01L29/786;H01L21/324;H01L21/336;G02F1/136
申请日期：
2002-07-10
申请人：
株式会社日立制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体薄膜器件及其制造方法和图像显示装置
申请号	CN02140592.1	申请日期	2002-07-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-17	公开/公告号	CN1462059
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本千叶县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下液晶显示器株式会社,株式会社日本显示器,株式会社日本显示器东	当前权利人	松下液晶显示器株式会社,株式会社日本显示器,株式会社日本显示器东
发明人	波多野睦子;山口伸也;芝健夫
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明的课题是在绝缘性基片上控制粒界、粒径和结晶方位。解决方法是使用下述的半导体薄膜器件，其中，在变形点为600度以下的绝缘性的基片上形成的膜厚为200nm以下的半导体薄膜中，具有交替地将缺陷密度比1×1017cm-3小的第1半导体薄膜区和缺陷密度为1×1017cm-3以上的第2半导体薄膜区配置成条状的区域，上述第1半导体薄膜区的宽度比上述第2半导体薄膜区的宽度大。本发明的效果是可得到具有高品质的半导体薄膜的半导体薄膜器件。

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