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半导体薄膜器件及其制造方法和图像显示装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02140592.1
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L29/786;H01L21/324;H01L21/336;G02F1/136
  • 申请日期:
    2002-07-10
  • 申请人:
    株式会社日立制作所
著录项信息
专利名称半导体薄膜器件及其制造方法和图像显示装置
申请号CN02140592.1申请日期2002-07-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-12-17公开/公告号CN1462059
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6查看分类表>
申请人株式会社日立制作所申请人地址
日本千叶县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下液晶显示器株式会社,株式会社日本显示器,株式会社日本显示器东当前权利人松下液晶显示器株式会社,株式会社日本显示器,株式会社日本显示器东
发明人波多野睦子;山口伸也;芝健夫
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
本发明的课题是在绝缘性基片上控制粒界、粒径和结晶方位。解决方法是使用下述的半导体薄膜器件,其中,在变形点为600度以下的绝缘性的基片上形成的膜厚为200nm以下的半导体薄膜中,具有交替地将缺陷密度比1×1017cm-3小的第1半导体薄膜区和缺陷密度为1×1017cm-3以上的第2半导体薄膜区配置成条状的区域,上述第1半导体薄膜区的宽度比上述第2半导体薄膜区的宽度大。本发明的效果是可得到具有高品质的半导体薄膜的半导体薄膜器件。

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