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防止VDMOS管二次击穿的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810067461.5
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/308;G03F7/42
  • 申请日期:
    2008-05-27
  • 申请人:
    深圳深爱半导体有限公司
著录项信息
专利名称防止VDMOS管二次击穿的方法
申请号CN200810067461.5申请日期2008-05-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-08-12公开/公告号CN101504917
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;8;;;G;0;3;F;7;/;4;2查看分类表>
申请人深圳深爱半导体有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳深爱半导体股份有限公司当前权利人深圳深爱半导体股份有限公司
发明人刘宗贺
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人郑小粤
摘要
本发明公开了一种防止VDMOS管二次击穿的方法,包括步骤:在VDMOS管制造过程中,采用掩膜光刻胶在硅片表面进行干法刻蚀;在真空条件下通入气体,该气体在射频作用下形成对掩膜光刻胶具有轰击能力的等离子体,用该等离子体去除掩膜光刻胶。本发明防止VDMOS管二次击穿的方法,能有效解决因光刻胶残留导致的VDMOS管在大电流下测试VDS时出现的二次击穿现象。

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