一种含硼苯乙炔基硅氧烷及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910195445.9
IPC分类号：C07F7/08
申请日期：
2009-09-10
申请人：
华东理工大学

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著录项信息

专利名称	一种含硼苯乙炔基硅氧烷及其制备方法
申请号	CN200910195445.9	申请日期	2009-09-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-10	公开/公告号	CN101665506
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07F7/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07F 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物（含金属的卟啉入C07D 487/22；高分子化合物入C08） C07F7/00 含周期表第4或14族元素的化合物 C07F7/02 硅化合物 C07F7/08 具有1个或更多的C-Si键的化合物	IPC分类号	C;0;7;F;7;/;0;8查看分类表>
申请人	华东理工大学	申请人地址	上海市徐汇区梅陇路130号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华东理工大学	当前权利人	华东理工大学
发明人	宋宁;倪礼忠;高万星;陈建定
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种含硼苯乙炔硅氧烷及其制备方法。本发明所制得的含硼苯乙炔基硅氧烷结构如式I所示，其中，R为苯基、R’为CH3，n为2、3。本发明的含硼苯乙炔硅氧烷是通过硅氢键与硼羟基进行脱氢反应制得。在乙炔基硅烷分子中引入高键能B-O键，得到了既含有硅、硼无机元素，又含有乙炔基的无机-有机杂化材料。在高温环境中，材料表面陶瓷化，成为碳化硅、碳化硼等陶瓷层，使内层材料隔绝热和氧，从而提高结构材料的热氧化性能，在高温下有极高的质量保留率。适用于制备陶瓷前躯体、高性能复合材料基体、耐烧蚀材料、耐高温涂层等多种用途。式I

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