硫锡锌锶化合物、硫锡锌锶非线性光学晶体及制备方法和应用

发明专利无效专利

申请号：
CN201910358848.4
IPC分类号：C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355
申请日期：
2019-04-30
申请人：
上海工程技术大学

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引证文献

著录项信息

专利名称	硫锡锌锶化合物、硫锡锌锶非线性光学晶体及制备方法和应用
申请号	CN201910358848.4	申请日期	2019-04-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-26	公开/公告号	CN110055590A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;1;/;1;0;;;G;0;2;F;1;/;3;5;5查看分类表>
申请人	上海工程技术大学	申请人地址	上海市松江区龙腾路333号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海工程技术大学	当前权利人	上海工程技术大学
发明人	梅大江;吴远东;操汪柱;张怡玲;陆杰
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	许耀

摘要

本发明涉及硫锡锌锶化合物、硫锡锌锶非线性光学晶体及制备方法和应用，该硫锡锌锶化合物的化学式为SrZnSnS4，通过高温固相法制备得到；相应的硫锡锌锶非线性光学晶体以硫锡锌锶化合物为原料，采用高温熔体自发结晶法生长得到。与现有技术相比，本发明得到的非线性光学晶体具有晶体品质良好，生长成本低，过程简单，易获得大尺寸晶体等优点；高温法生长得到的非线性光学晶体具有较强的硬度，良好的机械性能，在空气中很稳定，具有较宽的透过波段和优良的非线性光学效应，可用于制作非线性光学器件。

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