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化学气相沉积反应器

发明专利无效专利

申请号：
CN200510066844.7
IPC分类号：C23C16/44
申请日期：
2005-04-20
申请人：
华宇电脑股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	化学气相沉积反应器
申请号	CN200510066844.7	申请日期	2005-04-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-01	公开/公告号	CN1854336
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/44 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	华宇电脑股份有限公司	申请人地址	台湾省台北市八德路四段758号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华宇电脑股份有限公司	当前权利人	华宇电脑股份有限公司
发明人	李森田;优瑞·吉欧吉维奇·史瑞特;优瑞·图马索维奇·瑞朋;罗斯南·伊凡诺维奇·葛布诺夫
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	任永武

摘要

本发明有关一种化学气相沉积反应器，是由一反应管、一基板、一第一气体输入管、一第二气体输入管以及一固态粒子源所构成，借由该第一气体输入管及该第二气体输入管所分别提供的主反应气体彼此混合后，再根据其处于适当温度之下的氢化物或金属有机气相沉积反应，于该基板上形成包含该固态粒子的薄膜；该化学气相沉积反应器可在无须使用光罩层的情形下制作出沉积变化横越成长方向的薄膜。

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