电子器件和电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201910589185.7
IPC分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L27/02
申请日期：
2019-07-02
申请人：
半导体组件工业公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	电子器件和电路
申请号	CN201910589185.7	申请日期	2019-07-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-10	公开/公告号	CN110676315A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/778 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/778 带有二维载流子气沟道的，如HEMT〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	半导体组件工业公司	申请人地址	美国亚利桑那州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	半导体组件工业公司	当前权利人	半导体组件工业公司
发明人	全祐哲;P·文凯特拉曼
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	章蕾

摘要

本公开涉及电路和电子器件。本发明公开了一种电子器件和电路。该电子器件可以包括沟道层和覆盖沟道层的阻挡层。在一个实施方案中，电子器件可以包括沿栅极端子与第一晶体管的栅极电极之间的电流路径设置的部件。在另一个实施方案中，电子器件可以包括第二晶体管，其中该第二晶体管的源极电极和栅极电极耦接到第一晶体管的栅极电极，并且第二晶体管的漏极电极耦接到栅极端子。所述电路可以包括晶体管和二极管。所述晶体管可以包括漏极、栅极和源极，其中漏极耦接到漏极端子，并且源极耦接到源极端子。二极管可以具有耦接到栅极端子的阳极以及耦接到晶体管的栅极的阴极。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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