和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN200610019601.2
IPC分类号：H01L31/107;H01L31/18
申请日期：
2006-07-11
申请人：
武汉电信器件有限公司

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专利名称	和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作工艺
申请号	CN200610019601.2	申请日期	2006-07-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-12-27	公开/公告号	CN1885567
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/107 以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	武汉电信器件有限公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区邮科院路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉电信器件有限公司	当前权利人	武汉电信器件有限公司
发明人	丁国庆
代理机构	武汉宇晨专利事务所	代理人	黄瑞棠

摘要

本发明公开了一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作工艺，涉及一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD，尤其涉及一种二台阶连体式管芯的结构及其制作工艺。本管芯整体结构为一种和共面波导集成的、二台阶连体式管芯，从下到上，InP掺铁的半绝缘衬底、下台阶和上台阶依次连接；本管芯制作工艺包括MOCVD外延，PECVD，光刻与化学腐蚀，化学清洗，扩散，反应离子刻蚀，电子束蒸发，金属剥离，钝化处理，管芯分离；制作工艺最重要的是化学腐蚀和管芯分离。本管芯是高速率、长距离光通信系统的关键光电子器件；管芯和共面波导一体化设计与制作，不仅简化了工艺，降低了成本，而且减少了传输损耗，容易阻抗匹配；本发明解决了侧面进光面的平整性问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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