一种微型热导池结构及其加工制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510349171.X
IPC分类号：G01N27/18;G01N30/66;B81C3/00
申请日期：
2015-06-19
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	一种微型热导池结构及其加工制造方法
申请号	CN201510349171.X	申请日期	2015-06-19
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-12-09	公开/公告号	CN105136871A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/14 依赖于温度变化的电热体的电阻 G01N27/18 由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻（G01N 27/20优先）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;8;;;G;0;1;N;3;0;/;6;6;;;B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	王伟军
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明提出一种微型热导池结构，包含热敏电阻和池体以及金属连线和电极，其特征在于所述池体是由上下两个表面绝缘且内部各含有凹槽的硅片作为盖板，凹槽位置对准并贴合，经硅硅界面键合密封组成。本发明提供一种与上述结构匹配的加工制造方法，采用硅片作为热导池的上下盖板，通过标准MEMS体硅释放技术及DRIE技术在上下盖板的对应位置各获得凹槽，使用常规半导体绝缘材料完成盖板表面绝缘，用半导体金属制作金属连线和电极，通过光刻胶剥离工艺形成热敏电阻，最后在上下盖板的凹槽对准并贴合后进行硅硅界面键合，完成密封。本发明的技术方案与常规半导体工艺兼容，且工艺易于实现，技术成熟，稳定性良好。

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