加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

配置横贯堆叠半导体装置的合并垂直信号路径的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110421800.7
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2008-10-06
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称配置横贯堆叠半导体装置的合并垂直信号路径的方法
申请号CN201110421800.7申请日期2008-10-06
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-06-27公开/公告号CN102522351A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人郑会柱;李祯培;李勋
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人侯广
摘要
本发明提供一种使用多个垂直连接路径配置横贯堆叠的多个器件的合并垂直信号路径的方法,其中所述堆叠的多个器件包括多个段。该方法包括:分别检测所述多个段中的每一个是合格段还是故障段;以及将来自所述多个垂直连接路径中的至少两个中的每一个的至少一个合格段合并-连接以配置所述合并垂直信号路径。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供