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沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080057177.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2010-10-28
  • 申请人:
    维西埃-硅化物公司
著录项信息
专利名称沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管
申请号CN201080057177.5申请日期2010-10-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-09-19公开/公告号CN102687274A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人维西埃-硅化物公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人维西埃-硅化物公司当前权利人维西埃-硅化物公司
发明人N.蒂皮尔内尼;D.N.帕塔纳雅克
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人李国华;沙捷
摘要
一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(TMOSFET),包括在多个栅极区之间沉积的多个台面。每个台面包括漂移区和体区。台面的宽度为在栅极绝缘区和体区之间接口处的量子阱尺寸的数量级。该TMOSFET还包括在栅极区与体区、漂移区和漏极区之间沉积的多个栅极绝缘区。在栅极区和漏极区之间的栅极绝缘区的厚度导致在关断状态下栅极到漏极电场基本为横向,这有助于耗尽漂移区中的电荷。

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