一种半导体材料的单晶生长装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120255112.7
IPC分类号：C30B11/00
申请日期：
2021-01-29
申请人：
大庆溢泰半导体材料有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体材料的单晶生长装置
申请号	CN202120255112.7	申请日期	2021-01-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	大庆溢泰半导体材料有限公司	申请人地址	黑龙江省大庆市高新区新泰路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大庆溢泰半导体材料有限公司	当前权利人	大庆溢泰半导体材料有限公司
发明人	雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春峰
代理机构	黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙淑荣

摘要

一种半导体材料的单晶生长装置，涉及半导体材料技术领域，包括加热炉、封料石英管、装料坩埚和支撑装置，所述的装料坩埚为透明的石英坩埚，所述的封料石英管外侧设置有隔热环，所述的隔热环上端面为外高内低的锥面，所述的锥面上放置有反光镜A；所述的加热炉包括加热筒和保温筒，加热筒与保温筒之间留有间隙，所述的加热筒的上下两端设置有封盖，其中上端的封盖由透明耐高温材料制成，从而反光镜A的反射光线能够通过上端的封盖折射出去。本发明利用光的反射原理解决了现有的温度梯度凝固法无法观察固液面的问题，了解固液面位置有利于缓慢降温与精密移动晶体生长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供